美光

Mehrotra还提到了美光NAND闪存路线图的变化，目前96层堆栈的3D闪存已经量产，而在第四代3D闪存上会有重大变化，128层堆栈闪存将会从此前的FG浮栅极技术转向RG替换栅极技术。在美光之外，其他家闪存厂目前没有听说采用RG可替换栅极技术的。

全球芯片巨头正期望新加坡能将半导体列为必不可少的业务，以减少供应中断的忧虑，如在新加坡设有工厂的美光科技公司和应用材料即表示，预期当地工厂在工人受到保护的情况下，能获准继续运营；而去年收购了新加坡芯片工厂的高通公司则拒绝置评。

眼看着台积电、三星为首的芯片代工巨头在全球增加生产基地，美国巨头们也开始蠢蠢欲动。日媒报道称，美光打算把研发以及生产的重点放在存储芯片板块，理由是这一领域的芯片将大力推动5G手机以及云计算的发展，希望能借此与包括美国在内的各国政府加强合作。据悉，美光在中国、日本、新加坡、马来西亚等设有制造基地，在中国和马来西亚设有封装中心，在新加坡设有闪存芯片工厂。

尽管新加坡半导体业规模目前落后南韩与台湾，但在芯片强劲需求与政府砸重金奖励下，愈来愈多外国芯片大厂赴新加坡设厂，不仅推动当地景气，也拉抬自动化与机器人相关产业。为了吸引半导体厂商前去投资，新加坡政府推出规模数十亿美元的奖励方案，领域包括提升生产力、自动化与科技研发。美光科技（Micron）与英飞凌科技（Infineon）已决定在新加坡扩产。

NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制，已实现容量的增加。NAND制造中心附近，美光在2016年投资40亿美元进行扩建。该工厂可能将主要用于研发，设计可生产的更先进的闪存，并尝试新的制造方法，用于日益复杂的堆叠和密集设计，而不是加强目前正在练成的存储芯片的产量。