闪存

Mehrotra还提到了美光NAND闪存路线图的变化，目前96层堆栈的3D闪存已经量产，而在第四代3D闪存上会有重大变化，128层堆栈闪存将会从此前的FG浮栅极技术转向RG替换栅极技术。在美光之外，其他家闪存厂目前没有听说采用RG可替换栅极技术的。

NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制，已实现容量的增加。NAND制造中心附近，美光在2016年投资40亿美元进行扩建。该工厂可能将主要用于研发，设计可生产的更先进的闪存，并尝试新的制造方法，用于日益复杂的堆叠和密集设计，而不是加强目前正在练成的存储芯片的产量。