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美光扩建NAND闪存工厂但不增产 128层闪存有重大变化(新加坡美光公司大楼图片)
Mehrotra还提到了美光NAND闪存路线图的变化,目前96层堆栈的3D闪存已经量产,而在第四代3D闪存上会有重大变化,128层堆栈闪存将会从此前的FG浮栅极技术转向RG替换栅极技术。在美光之外,其他家闪存厂目前没有听说采用RG可替换栅极技术的。
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新加坡micron公司 SSD要降价?美光在新加坡建设新的研制3D NAND闪存工厂
NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制,已实现容量的增加。NAND制造中心附近,美光在2016年投资40亿美元进行扩建。该工厂可能将主要用于研发,设计可生产的更先进的闪存,并尝试新的制造方法,用于日益复杂的堆叠和密集设计,而不是加强目前正在练成的存储芯片的产量。